Математический расчет электрического поля скрытого изображения
Нейгебауер, используя «метод изображений», нашел выражения в виде ряда для поля линейных и круговых электростатических изображений. Мацца предложил метод определения поля при синусоидальном распределении зарядов. Этот метод позволяет использовать для анализа поля скрытого…
Электрическое поле электростатического изображения
Скрытое электростатическое изображение обычно рассматривают как систему поверхностных зарядов, способных притягивать противоположно заряженные частицы к несущей изображение поверхности. Однако обычно не принимается во внимание, что важной характеристикой электростатического изображения являются форма и величина…
Свойства электростатических изображений
Хорошо известно, что скрытое электростатическое изображение в ксерографии образуется на поверхности фотопроводящего изолятора. Сначала фотопроводящий слой электризуется в темноте, приобретая однородный поверхностный заряд. После проецирования оптического изображения на поверхности слоя создается распределение зарядов….
Органические фотопроводящие слои
Опубликованные данные для органических ксерографических слоев при освещении недостаточно полны для разработки четкой описательной модели. Некоторые кривые спада для конденсированных и полимерных органических слоев напоминают кривые спада для аморфного селена, тогда как слои…
Модель слоев ZNO в связующем
В вышеприведенных теориях предполагается, что фототок мгновенно достигает своей максимальной величины при освещении слоя. Для аморфного селена это допущение разумно, а ошибка, возникающая за счет этого предположения, незначительна. Однако существует ряд случаев, когда…
Модель слоев аморфного селена
В работе Ли и Регенсбургера предложена теоретическая модель, объясняющая характеристики фотоиндуцированного разряда ксерографических слоев аморфного селена. Эта модель учитывает не только движение носителей в объеме, но и рекомбинацию фотогенерированных дырок и электронов. Был…
Теория разряда
В работе рассмотрена общая модель разряда или светового спада с учетом выражения Гехта для фототока в изолирующих кристаллах. Эта теория основывается на предположении, что средний сдвиг свободных носителей (электронов или дырок) в слое…
Разряд в ксерографии
Качество изображения в ксерографии на заряженном слое фоточувствительного изолятора под действием падающих фотонов зависит от скорости светового спада. Эта скорость определяется следующими факторами: 1) количеством падающего света, поглощенным в слое; 2) квантовым выходом…
